ASML公布Hyper NA EUV蓝图：数值孔径提至0.75，目标5nm单次曝光

ASML近日与光学合作伙伴蔡司在《微纳米图案化、材料与计量期刊》上发表同行评审论文，正式对外披露目前最强光刻机High NA EUV的继任者——Hyper NA EUV光刻机。论文称，这款接替High NA的设备预计约十年后可准备就绪，能够实现5nm单次曝光。

Hyper NA的关键变化，在于把数值孔径从High NA的0.55至少提升到0.75。数值孔径越大，光刻机聚光能力越强，可分辨的电路特征也就越小。论文指出，Hyper NA能够印制小到5nm的电路特征，较现有High NA EUV设备缩小超过三分之一。

在技术复用上，Hyper NA尽可能沿用现有基础：既有EUV光源可以直接使用，蔡司已具备制造足够精度反射镜的能力，新机台尺寸也只是比现有High NA设备略大一些。也就是说，芯片制造商不必推倒重建整套光刻生态，升级成本相对可控。

不过挑战依旧。ASML虽已启动研发，但尚未承诺投产；论文也提到，即便把光源换成自由电子激光器，照明系统的设计也无需改动。

从产业节奏看，英特尔已在量产中启用High NA，三星与SK海力士计划2028年跟上，台积电则把采用节点安排到2030年。这意味着未来数年内High NA仍是先进制程的主力，而Hyper NA瞄准的是2035年以后的产业需求。论文对xLight等美国初创企业也有参考价值——xLight正研发自由电子激光光源，特斯拉首席执行官马斯克曾暗示，得州的Terafab芯片厂可能采用该技术。此外，还有企业在探索X光光刻路线，试图绕开ASML的EUV壁垒。

需要说明的是，光刻机从图纸到量产往往要经历漫长的验证周期，论文所描绘的路线能否落地，还要看后续工程化推进的结果。但可以确定的是，围绕更小制程节点的设备竞赛，仍在持续升温。

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