DRAM 龙头补上闪存拼图：长鑫被曝在北京筹建 NAND 研发产线

国内存储产业可能迎来一次格局变化。据路透社报道，三位知情人士透露，国内 DRAM 领域规模最大的厂商长鑫存储打算补上闪存这块拼图：在北京动工新厂，用这条产线做 NAND 闪存研发，另外单独成立研究院负责技术攻关。

报道提到，长鑫存储已经就 NAND 闪存产品与部分客户展开前期沟通，已经有初创公司表达了采购意向，准备把 NAND 芯片用在 AI 系统与超算的存储硬件上，报道没有点出这家客户是谁。这条研发产线何时投产，对外也没有明确说法；能不能从试产走到大规模商业化量产，同样没有定论。

长鑫存储做的是 DRAM 内存生意，三座 12 英寸 DRAM 晶圆厂分别落在合肥与北京，国内产能排第一，全球排第四。自身的 DRAM 业务增长势头明显：今年第二季度，其 DRAM 业务收入为 146.24 亿美元，约合人民币 983 亿元；环比增幅达到 99.3%，市占率则从一季度 7.6% 升到 9.5%。此番布局 NAND 闪存，意味着公司正从单一的 DRAM 供应，向存储全品类方向拓展。

NAND 市场的格局目前由海外厂商主导。集邦咨询的数据显示，今年第二季度全球 NAND 闪存市场里，三星以 29.3% 的份额位居第一，SK 海力士与美光紧随其后。国内赛道上，长江存储已经依托自研 Xtacking 架构在 3D NAND 领域实现技术突破，2026 年一季度营收同比翻倍，全球市场份额约 12%。

如果长鑫的项目最终落地，国内存储产业会从原本 DRAM 与 NAND 各有一家龙头的格局，变成两家企业同时覆盖两大品类，竞争与合作关系都会出现新的变量。对下游客户来说，多一个国产供应选项，在当前的存储价格周期里并不是小事。

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