韩国专家自评中韩 HBM 差距：最乐观 2 年，生态层面要 4 到 5 年

在高带宽存储器（HBM）这条赛道上，韩国业界对中国的追赶速度愈发警觉。据快科技 9 月 28 日消息，多位韩国专家给出的判断是：中韩 HBM 技术差距在 2 年到 6 年之间。

中国企业目前还没走到先进 HBM 的稳定量产供货阶段，但靠着通用 DRAM 那片市场里攒下的量产经验，追赶的步子明显快了。高丽大学电气电子工程学部的教授申昌焕就认为，差距已经缩到 2 年上下，理由有两条：HBM 换代比 DRAM 更快，而在存储器堆叠所需的封装环节，中国也已经动了起来。

也有更保守的看法。给出 3 年判断的还有两位学者：嘉泉大学半导体学院的特聘教授金容锡，以及汉阳大学全球文化通商学部的教授白瑞仁；白瑞仁补充说，如果中国以不计成本的姿态发起进攻，差距还可能再缩短 1 年。

分歧的关键在于“怎么算差距”。高级副总裁崔正东来自 TechInsights，他的分法更细：只看产品世代，中韩相差 1 到 2 代；但若把良率、堆叠与散热、客户联合设计，以及 AI 加速器的认证都算进来，真实的生态差距就有 4 到 5 年。他估计中国大约在 2030 年前后追到韩国当下水平；至于在最先进 HBM 上追平，他把追平的时间放在 2032 至 2034 年之后；成均馆大学化学工程系的权锡俊教授那边，则拿长鑫存储推进开发与量产的节点，对照韩国企业当年走过的路，认为中间约隔着 6 年。

作为 HBM 追赶的底座，通用存储器的差距同样被反复提及。专家估算中韩 DRAM 的差距为 2 到 4 年；在他看来，仅论单元微缩大约差 2 年；若把良率、成本、长期可靠性连同客户认证都算进去，则约 3 年。金容锡还提醒，得先盯紧 DDR4、DDR5 这类通用 DRAM 市场——只要中国靠扩产在通用产品上拿到份额与利润，这些钱就能继续砸进先进工艺的研发，从而转成正向循环。

把这些判断放在一起，能看出一条线索：中国在 HBM 上的差距，正从“世代落后”转向“生态落后”。产品型号可以追得很近，但良率、散热、客户认证这些需要时间沉淀的环节，短期内仍是最难跨过的门槛。

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