三星电子在 2026 年 10 月 29 日的第三季度财报电话会议上透露，其高带宽内存 HBM 的全球份额已经提升到约 40%，与 DRAM 业务当前的市占率基本持平。这个目标原本计划在下半年完成，实际提前到了第三季度。
份额跃升的底气来自 HBM4 的架构换代。三星没有沿用上一代的成熟设计，工艺选的是第六代 10 纳米级 DRAM，逻辑基底裸片则做到 4 纳米。这是 HBM 产品第一次把逻辑芯片推进到 4 纳米节点，基底的计算能力与高速接口性能都随之增强。
速率指标相当激进。单根引脚的数据传输速率，HBM4 稳定做到 11.7Gbps，比 JEDEC 标准的 8Gbps 高出约 46%，上限还能扩展到 13Gbps；对比 HBM3E 的 9.6Gbps，提升幅度约 22%。单堆栈总带宽最高可达 3.3TB/s。
容量方面，12 层堆叠方案支持单堆栈 24GB 到 36GB，后续的 16 层版本会把单堆栈容量推到 48GB。
引脚数量从 1024 增加到 2048，功耗压力随之上升。三星靠低电压硅通孔和重新设计的供电网络把这部分抵消掉：整体能效比 HBM3E 提升 40%，热阻降低 10%，散热能力提升 30%。对数据中心来说，这几个数字直接关系到机柜的电力与冷却预算。
技术优势正在转成订单。三星目前已与十家大客户签下多年期存储长期供货协议，另有十家主要客户还在谈，有几家已经进入最后阶段。按照规划，到 2030 年，把长期协议覆盖的产能比例提高到 60% 至 70%；2027 年的 HBM 供应量也已完成目标价格谈判，实际供货全部锁定。
下一代产品 HBM4E 的进展同样明确：第七代已经给客户送出 12 层样品，单堆栈容量 48GB，引脚速率 14Gbps 起步，最高可扩展到 16Gbps，单堆栈带宽峰值 3.6TB/s，能效比 HBM4 再提升 16%，量产计划定在 2027 年上半年。
从份额追赶到产能锁定，三星在 HBM 上的节奏明显加快。接下来要看的，是这些协议能否在存储价格波动时真正兑现。
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