从内存到闪存：长鑫被曝在北京筹建 NAND 产线，瞄准全品类存储

国内存储产业的版图，可能又要添一笔。据路透社援引三位知情人士的说法，长期主攻内存的长鑫存储正计划进入 NAND 闪存赛道：一方面在北京新建工厂、搭建闪存研发产线，另一方面设立专门的研究院，推进相关技术项目。

报道提到，长鑫已经围绕闪存产品与部分客户做了前期沟通，其中有一家初创企业有意采购其闪存芯片，用于 AI 系统与超级计算机相关的存储硬件，客户身份尚未公开。至于这条研发产线何时投产，目前没有明确说法；从研发试产走向大规模商业化，也还没有定论。

长鑫的底子主要在 DRAM 上。它在合肥与北京建有三座 12 英寸晶圆厂，国内产能排名第一、全球位列第四。2026 年第二季度，其内存业务的单季营收为 146.24 亿美元（折合人民币约 983 亿元），环比增幅 99.3%；市场占有率也从第一季度的 7.6% 上升到 9.5%。此番向闪存延伸，意味着它正从单一的内存供应商，转向覆盖存储全品类的角色。

闪存市场的格局则相对集中。集邦咨询的统计显示，2026 年第二季度，全球 NAND 市场仍由海外三家厂商主导，三星以 29.3% 的份额居首，SK 海力士与美光分列二、三位。国内这条赛道上，长江存储已经取得技术突破，其自研的 Xtacking 架构在 3D NAND 领域持续深耕，2026 年第一季度营收同比翻倍，全球份额约 12%。

从行业视角看，内存与闪存虽然同属存储，但工艺路线、设计难度和专利壁垒差别不小。DRAM 厂商向 NAND 延伸，等于要在既有优势之外重新搭一套技术班子，这也是外界关注长鑫这一步的原因。

对长鑫而言，入局闪存既是机会，也是硬仗：一方面能借 AI 存储需求打开新的增长口，另一方面要面对成熟厂商的规模优势与专利墙。国内存储双雄若在同一赛道正面相遇，竞争格局会如何重排，还要看这条产线能把进度推到多远。

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