长鑫G6内存指标流出：单元面积再缩三成，混合键合首次上车

据快科技报道，国产DRAM企业长鑫科技的新一代内存技术平台G6，部分指标预测近日流出。方案里提到，长鑫会继续用DUV光刻工艺来生产G6代内存，最快2028年面世，芯片单元面积会由G5代的0.00128205平方微米，进一步缩小到0.000896平方微米，缩幅达到三成。

在没有EUV光刻机的情况下，长鑫正通过对DUV工艺组合的深度优化，逼近这项技术的物理极限。据技术人士公布的预测，G6的单元面积微缩将借助对193纳米DUV浸没式光刻机的持续优化，并结合自对准四重图案化予以实现，部分层级则选用自对准双重图案化。

从节点指标看，G6的字线间距会由G5的33.3纳米收紧到28纳米，位线间距从38.5纳米降到32纳米，有源区间距由23.9纳米降到20纳米。光刻胶的方案也跟着升级，有源区切割层会从193i LE4换成193i LE4或X自对准双重图案化，位线接触层也加入自对准双重图案化的选项。

值得关注的是，G6第一次引入键合工艺，这是整个方案里最关键的变量。在这份预测表格里，G6的M0层被标成“193i LELE bonded”，这意味着长鑫打算用晶圆级混合键合，把存储阵列与外围逻辑电路分开制造，再完成堆叠互联。这样的思路和长鑫在4F2架构上的布局相当吻合。

长鑫科技总裁曹堪宇曾表示，4F2架构的核心突破之一就是把DRAM和CMOS这两道工艺解耦，再借助晶圆级混合键合达成高速互联，这也是DRAM从二维缩放走向三维集成的关键转折点；长鑫预计在今年年底发布融合这项技术的新一代DDR5 RDIMM内存。有预测认为，G6可能是6F2结构的最后一代；长鑫已经提前布局3D内存，3D DRAM的堆叠层数可以做到64层以上，预计2030年后的G7代产品，可能转向4F2结构或3D内存架构。

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