先进制程再添玩家：格罗方德计划2028年量产7nm级FD SOI工艺

10月9日，GlobalFoundries（格罗方德，简称GF）对外公布了全新FD SOI（完全耗尽型绝缘体上硅）先进制程平台FDX Fusion的规划。这意味着在先进逻辑芯片的竞赛里，可能又多出一个有分量的参与者。

按官方的时间表，FDX Fusion的第一代技术将提供7nm级别的数字性能。格罗方德打算在2027年初向客户交付演示芯片，2027年中拿出初步的PDK，并在2028年于德国德累斯顿晶圆厂启动量产。若计划如期兑现，格罗方德会成为又一家独立的10nm以下级逻辑芯片制造商，同时也会是首家把FD SOI工艺推进到10nm以下的企业。

定位上，FDX Fusion瞄准的是物理人工智能市场。除了拿得出手的数字逻辑性能，它在模拟与混合信号以及射频方面同样有看头，并且支持存内计算与嵌入式非易失性存储器。目前格罗方德正与多家客户合作，围绕FDX Fusion展开早期开发和评估，用真实应用需求来牵引产品设计，加快这项技术从平台定义走向量产就绪。

同一天，格罗方德还宣布德累斯顿生产基地的SPRINT扩展项目实现封顶，预计到2028年底，产能将提升到每年逾100万片300毫米（12英寸）晶圆。对一家在特色工艺领域浸润多年的代工厂而言，把FD SOI延伸到更先进节点，再叠加产能扩张，是它试图重返先进制程牌桌的重要一步。

从行业格局看，FD SOI凭借较低的工作电压与较好的模拟特性，长期被用于射频、汽车电子等对功耗与可靠性敏感的场景。把这一路线推进到更先进节点，等于在FinFET与GAA之外多提供了一种选择。对客户来说，多一个可用的先进制程平台，也有助于在产能紧张时分散风险。不过量产时间表能否守住，仍取决于PDK成熟度、良率爬坡与客户导入进度，这些环节都存在不确定性。

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