11.95 纳米半间距、单片产出增五成：长鑫第五代存储平台进入量产

国产存储在技术代际上又往前挪了一步。在 9 月 20 日于合肥举行的世界制造业大会上，长鑫科技给出消息：第五代技术平台进入量产，高端存储技术拿下关键突破。

按照会上给出的指标，这一代平台把内存阵列有源区的半间距压缩到 11.95 纳米，存储器电容的深宽比做到 45:1，核心动能区的高度被压到 6762 纳米。相比上一代，新平台的存储密度有大幅提升，同等条件下单片晶圆的产出增加五成以上。

基于这套平台打造的 24GB LPDDR5X 内存也已经量产，后续将全面进入国内主流旗舰手机。

从产品矩阵看，长鑫的 LPDDR5X 覆盖颗粒、芯片与模组三种形态。颗粒部分有 12Gb 与 16Gb 两种；芯片方案则有 12GB、16GB 与 24GB；LPCAMM 模组版本则有 16GB 与 32GB 两个容量选择。

速率档位方面，该系列覆盖 8533Mbps、9600Mbps 与 10667Mbps 三档，并且向下兼容 LPDDR5，给终端厂商留出了迭代空间。对手机厂商来说，多档速率与多容量组合意味着可以在不同价位段上做更细的配置切分。

把技术指标换算成产业意义，可以看得更清楚。半间距与深宽比这两个参数，直接决定了单位面积里能塞进多少存储单元，也决定了一块晶圆能切出多少可用的芯片。在同等工艺条件下，单片产出提升五成，意味着单位成本被摊薄，这对长期承压的存储业务相当关键。而 24GB LPDDR5X 进入主流旗舰，说明高容量内存不再只是高端机型的专属配置，后续中端产品也有望用上更大的内存组合。内存成本在整机物料中的占比近一年持续上升，本土供给稳定，有助于缓解采购价格波动带来的压力。

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