内存价格持续攀升已近一年，仍未显露出趋稳迹象。以DDR5-6000规格的2x16GB双通道套条为例，其市场售价已从2025年同期的约100美元跃升至当前的500美元以上，部分型号涨幅达五至十倍，涨幅之大令人瞩目。

全球内存芯片市场高度集中，约九成至九成五的份额由三家头部企业掌控。此轮价格上涨显著推高了其盈利水平：其中一家企业2026年第一季度净利润较上年同期增长近八倍；另两家同期增幅亦超过五倍。仅2026全年，这三家企业合计净利润有望突破一万亿元人民币。

目前内存供应紧张局面尚未缓解，行业普遍预期价格高位运行将持续至2027年甚至更晚，部分分析认为影响可能延续至2028年或2030年。若以五年为周期测算，此轮涨价所带来的累计收益，理论上足以覆盖过去五十年的总利润，堪称行业罕见的盈利高峰。

在终端需求持续旺盛的背景下，通常企业会大幅扩充产能以响应市场。但实际情况是，三大厂商并未显著提升通用型内存的生产规模。其资本支出重点明显转向高附加值产品，尤其是面向人工智能计算的高带宽内存（HBM）等新型存储技术。

其中，一家企业在韩国龙仁国家产业园规划总投资达2600亿美元，拟建设六座先进晶圆厂，项目将于2026年下半年启动建设，预计2031年投入运营，主要聚焦HBM及采用1b/1c纳米制程的高端内存产品。另两家厂商亦同步加快HBM产线布局，相关建设项目已于2026年内启动，但首批产能预计要到2028年至2030年间方能实现量产。

就2026年全年产能而言，整体增量十分有限：一家企业内存晶圆产量预计为793万片，较2025年的759万片仅增长约百分之五；另一家将从597万片提升至648万片，增幅约为百分之八；第三家则基本维持在360万片左右，与上年持平。

综上可见，在需求强劲、价格飙升五倍的市场环境下，三大厂商的产能扩张极为审慎。其新建产能主要服务于HBM等前沿领域，而面向主流计算设备的DDR、LPDDR及GDDR等通用内存产品的供应增长微乎其微，远未成为扩产重心。